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    IS61C512-15N 参数 Datasheet PDF下载

    IS61C512-15N图片预览
    型号： IS61C512-15N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K ×8高速CMOS静态RAM [64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 425 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第8页  
    IS61C512  
    AC WAVEFORMS  
    READ CYCLE NO. 1(1,2)  
    t
    RC  
    ADDRESS  
    t
    AA  
    t
    OHA  
    t
    OHA  
    DATA VALID  
    DOUT  
    READ CYCLE NO. 2(1,3)  
    t
    RC  
    ADDRESS  
    OE  
    t
    AA  
    t
    OHA  
    t
    HZOE  
    t
    DOE  
    t
    LZOE  
    CE1  
    t
    ACE1/tACE2  
    CE2  
    t
    LZCE1/  
    tLZCE2  
    t
    HZCE  
    HIGH-Z  
    HIGH-Z  
    DOUT  
    DATA VALID  
    t
    PU  
    t
    PD  
    ICC  
    ISB  
    50%  
    50%  
    SUPPLY  
    CURRENT  
    Notes:  
    1. WE is HIGH for a Read Cycle.  
    2. The device is continuously selected. OE, CE1 = VIL, CE2 = VIH.  
    3. Address is valid prior to or coincident with CE1 LOW and CE2 HIGH transitions.  
    Integrated Circuit Solution Inc.  
    5
    SR011-0B  

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