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IBMN612405GT3B-8N 参数 Datasheet PDF下载

IBMN612405GT3B-8N图片预览
型号: IBMN612405GT3B-8N
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX4, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 79 页 / 1280 K
品牌: IBM [ IBM ]
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IBMN612404GT3B  
IBMN612804GT3B  
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM  
Preliminary  
Block Diagram (32Mb x 4)  
CKEn  
CK  
QFC  
generator  
QFC  
(Optional)  
DRVR  
CK  
CSn  
WE  
CAS  
RAS  
Bank3  
Bank2  
Bank1  
Clk  
DLL  
Mode  
12  
Registers  
4096  
Bank0  
Memory  
Array  
12  
Data  
1
(4096 x 1024 x 8)  
4
4
8
Sense Amplifiers  
4
DQS  
Generator  
DQ0-DQ3,  
DM  
COLo  
Mask  
DQS  
Input  
Register  
1
I/O Gating  
DM Mask Logic  
8
2
DQS  
1
A0-A11,  
14  
Write  
1
4
BA0, BA1  
FIFO  
1
1
&
8
2
8
1024  
(x8)  
2
Drivers  
4
4
4
4
clk  
clk  
Column  
Decoder  
in  
out  
Data  
10  
COLo  
Clk  
Column-Address  
11  
Counter/Latch  
1
COLo  
1
Note: This Functional Block Diagram is intended to facilitate user understanding of the operation of  
the device; it does not represent an actual circuit implementation.  
Note: DM is a unidirectional signal (input only), but is internally loaded to match the load of the bidi-  
rectional DQ and DQS signals.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
06K0566.F39350B  
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