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IBM11M4735CB-60T 参数 Datasheet PDF下载

IBM11M4735CB-60T图片预览
型号: IBM11M4735CB-60T
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内容描述: [EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168]
分类和应用: 动态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 30 页 / 791 K
品牌: IBM [ IBM ]
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Discontinued (9/98 - last order; 3/99 - last ship)  
IBM11M4735C  
IBM11M4735CB  
4M x 72 DRAM Module  
Write Cycle (Early Write)  
tRC  
tRAS  
tRP  
VIH  
VIL  
RAS  
CAS  
tCSH  
tCRP  
tRCD  
tRSH  
VIH  
VIL  
tCAS  
tRAD  
tASR  
tASC  
tRAH  
tCAH  
VIH  
VIL  
Address  
Row  
Column  
tWRH  
tWRP  
tWCS  
tWCH  
VIH  
VIL  
tWP  
WE  
OE  
NOTE 1  
VIH  
VIL  
tDS  
tDH  
VIH  
VIL  
DIN  
Valid Data In  
VOH  
VOL  
DOUT  
Hi-Z  
NOTE 1: Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.  
: “H” or “L”  
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
50H4201.E20982E  
Revised 8/98  
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