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GS74116ATP-12T 参数 Datasheet PDF下载

GS74116ATP-12T图片预览
型号: GS74116ATP-12T
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内容描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步 [256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 421 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74116ATP/J/X  
Power Supply Currents  
0 to 70°C  
8 ns 10 ns 12 ns  
–40 to 85°C  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
7 ns  
7 ns  
8 ns  
10 ns 12 ns  
CE VIL  
Operating  
Supply  
Current  
All other inputs  
VIH or VIL  
Min. cycle time  
IOUT = 0 mA  
IDD  
150  
130  
30  
105  
25  
90  
25  
160  
140  
115  
35  
100  
35  
mA  
CE VIH  
Standby  
Current  
All other inputs  
VIH or VIL  
Min. cycle time  
ISB1  
40  
50  
40  
mA  
mA  
CE VDD – 0.2V  
All other inputs  
VDD – 0.2 V or 0.2 V  
Standby  
Current  
ISB2  
10  
20  
AC Test Conditions  
Output Load 1  
Parameter  
Input high level  
Input low level  
Conditions  
DQ  
VIH = 2.4 V  
VIL = 0.4 V  
tr = 1 V/ns  
tf = 1 V/ns  
1.4 V  
1
30pF  
50Ω  
Input rise time  
VT = 1.4 V  
Input fall time  
Input reference level  
Output reference level  
Output load  
Output Load 2  
1.4 V  
3.3 V  
Fig. 1& 2  
589Ω  
434Ω  
DQ  
Note:  
1
1. Include scope and jig capacitance.  
5pF  
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1  
unless otherwise noted.  
3. Output load 2 for tLZ, tHZ, tOLZ and tOHZ  
Rev: 1.03 10/2002  
5/14  
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.