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GS74108ATP-12I 参数 Datasheet PDF下载

GS74108ATP-12I图片预览
型号: GS74108ATP-12I
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内容描述: 512K ×8 4Mb的异步SRAM [512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 647 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74108ATP/J/X  
Write Cycle  
-8  
-10  
-12  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Max  
Min  
8
Max  
Min  
10  
7
Max  
Min  
12  
8
Write cycle time  
Address valid to end of write  
Chip enable to end of write  
Data set up time  
tWC  
tAW  
tCW  
tDW  
tDH  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
5.5  
5.5  
4
7
8
5
6
Data hold time  
0
0
0
Write pulse width  
tWP  
tAS  
5.5  
0
7
8
Address set up time  
Write recovery time (WE)  
Write recovery time (CE)  
0
0
tWR  
tWR1  
0
0
0
0
0
0
*
Output Low Z from end of write  
Write to output in High Z  
3
3
3
tWLZ  
*
3.5  
4
5
ns  
tWHZ  
* These parameters are sampled and are not 100% tested.  
Write Cycle 1: WE control  
tWC  
Address  
OE  
tAW  
tWR  
tCW  
CE  
tAS  
tWP  
WE  
tDW  
tDH  
DATA VALID  
Data In  
Data Out  
tWHZ  
tWLZ  
HIGH IMPEDANCE  
Rev: 1.07 1/2006  
7/13  
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.