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GS74108ATP-12I 参数 Datasheet PDF下载

GS74108ATP-12I图片预览
型号: GS74108ATP-12I
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内容描述: 512K ×8 4Mb的异步SRAM [512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 647 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74108ATP/J/X  
Write Cycle 2: CE control  
tWC  
Address  
OE  
tAW  
tWR1  
tAS  
tCW  
CE  
tWP  
WE  
tDW  
tDH  
DATA VALID  
Data In  
Data Out  
HIGH IMPEDANCE  
36-Pin SOJ, 400 mil  
Dimension in inch  
Dimension in mm  
Symbol  
min  
nom  
max  
min  
nom  
max  
3.70  
L
D
A
A1  
A2  
B
0.146  
c
0.026  
0.66  
2.67  
0.33  
0.61  
0.15  
0.105 0.110 0.115  
0.013 0.017 0.021  
0.024 0.028 0.032  
0.006 0.008 0.012  
2.80  
0.43  
0.71  
0.20  
2.92  
0.53  
0.81  
0.30  
B1  
c
1
e
A
D
0.920 0.924 0.929 23.37 23.47 23.60  
0.395 0.400 0.405 10.04 10.16 10.28  
E
e
0.05  
1.27  
B
B1  
y
HE  
GE  
L
0.430 0.435 0.440 10.93 11.05 11.17  
Q
Detail A  
0.354 0.366 0.378  
9.00  
2.08  
9.30  
9.60  
0.082  
y
0.004  
0.10  
o
o
o
o
Q
0
10  
0
10  
Notes:  
1. Dimension D& E do not include interlead flash.  
2. Dimension B1 does not include dambar protrusion/intrusion.  
Rev: 1.07 1/2006  
8/13  
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.