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GS74108ATP-12I 参数 Datasheet PDF下载

GS74108ATP-12I图片预览
型号: GS74108ATP-12I
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内容描述: 512K ×8 4Mb的异步SRAM [512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 647 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74108ATP/J/X  
Capacitance  
Parameter  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
VIN = 0 V  
Max  
Unit  
pF  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
5
7
COUT  
VOUT = 0 V  
pF  
Notes:  
1. Tested at TA = 25°C, f = 1 MHz  
2. These parameters are sampled and are not 100% tested.  
DC I/O Pin Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Input Leakage  
Current  
VIN = 0 to V  
DD  
IIL  
– 1 uA  
–1 uA  
1 uA  
Output High Z  
Output Leakage  
Current  
ILO  
1 uA  
VOUT = 0 to V  
DD  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
VOH  
VOL  
IOH = –4 mA  
ILO = +4 mA  
2.4  
0.4 V  
Power Supply Currents  
0 to 70°C  
–40 to 85°C  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
CE VIL  
8 ns  
10 ns  
12 ns  
8 ns  
10 ns  
12 ns  
Operating  
Supply  
Current  
All other inputs  
VIH or VIL  
Min. cycle time  
IOUT = 0 mA  
IDD  
120 mA  
95 mA  
85 mA  
130 mA  
105 mA  
95 mA  
CE VIH  
Standby  
Current  
All other inputs  
VIH or VIL  
Min. cycle time  
ISB1  
ISB2  
30 mA  
25 mA  
10 mA  
22 mA  
40 mA  
35 mA  
20 mA  
32 mA  
CE VDD - 0.2V  
All other inputs  
VDD - 0.2V or 0.2V  
Standby  
Current  
Rev: 1.07 1/2006  
4/13  
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
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