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MBM29LV160TE-70 参数 Datasheet PDF下载

MBM29LV160TE-70图片预览
型号: MBM29LV160TE-70
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内容描述: 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位 [16M (2M X 8/1M X 16) BIT]
分类和应用:
文件页数/大小: 59 页 / 617 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU ]
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MBM29LV160TE/BE-70/90/12  
2. AC Characteristics  
• Read Only Operations Characteristics  
Parameter  
Symbols  
70  
(Note)  
90  
(Note)  
12  
(Note)  
Description  
Test Setup  
Unit  
JEDEC Standard  
tAVAV  
tAVQV  
tRC  
Read Cycle Time  
Min.  
Max.  
70  
70  
90  
90  
120  
120  
ns  
ns  
CE = VIL  
OE = VIL  
tACC  
Address to Output Delay  
tELQV  
tGLQV  
tEHQZ  
tGHQZ  
tCE  
tOE  
tDF  
tDF  
Chip Enable to Output Delay  
Output Enable to Output Delay  
Chip Enable to Output HIGH-Z  
Output Enable to Output HIGH-Z  
OE = VIL Max.  
70  
30  
25  
25  
90  
35  
30  
30  
120  
50  
ns  
ns  
ns  
ns  
Max.  
Max.  
Max.  
30  
30  
Output Hold Time From Address,  
CE or OE, Whichever Occurs First  
tAXQX  
tOH  
Min.  
Max.  
Max.  
0
20  
5
0
20  
5
0
20  
5
ns  
tREADY  
RESET Pin Low to Read Mode  
s
µ
tELFL  
tELFH  
CE or BYTE Switching Low or High  
ns  
Note : Test Conditions:  
Output Load:1 TTL gate and 30 pF (MBM29LV160TD/BD-70)  
1 TTL gate and 100 pF (MBM29LV160TD/BD-90/12)  
Input rise and fall times: 5 ns  
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V  
Timing measurement reference level  
Input: 1.5 V  
Output:1.5 V  
3.3 V  
IN3064  
or Equivalent  
2.7 kΩ  
Device  
Under  
Test  
6.2 kΩ  
CL  
Diodes = IN3064  
or Equivalent  
Figure 4 Test Conditions  
30  
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