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NDS351AN 参数 Datasheet PDF下载

NDS351AN图片预览
型号: NDS351AN
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 79 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
,跨导( SIEMENS )
5
20
V
DS
= 5.0V
I
D
,漏电流( A)
4
10
1m
s
IT
LIM
N)
(O
S
RD
T J = -55°C
25°C
5
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
10m
100
1s
10s
ms
s
3
2
125°C
1
g
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
JA
=见Note1b
θ
中T = 25℃
A
0.2
0.5
V
DS
DC
FS
0
0
1
2
3
我,漏极电流( A)
D
4
5
1
2
5
10
20 30
50
, DRAI N-二源极电压( V)
图13.跨导的变化与
漏电流和温度
.
图14.最大安全工作区。
稳态功率耗散( W)
1
一,稳定状态下的漏电流(A)
1.6
0.8
1.4
0.6
1b
1a
1.2
1a
0.4
1b
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 2 5 C
静止的空气中
V
的s
= 4 . 5 V
o
1
0.2
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 25
o
C
静止的空气中
D
0
0.8
0
0.1
0.2
0.3
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
0.4
0
0.1
0.2
0.3
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
0.4
Figue 15 SuperSOT
TM =
3最大
稳态
功耗与铜贴装焊盘面积。
图16.最大稳态漏
电流对铜安装焊盘面积
.
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
=见注释1B
P( PK)
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
300
图17.瞬态热响应曲线。
注意:在使用中注意事项1b中描述的条件进行表征。将瞬态热响应
改变取决于电路板的设计。
NDS351AN版本C