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型号: NDS351AN
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 79 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
注意事项:
1. R
θ
JA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
通过设计保证,同时ř
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
漏极引脚。 ř
θ
JC
is
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V,I
S
= 1.2 A
(注2 )
0.8
0.42
5
1.2
A
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
JA
(
t
)
T
J
T
A
=
T
J
T
A
R
θ
JC
+
R
θ
CA
(
t
)
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型ř
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局:
a. 250
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 270
o
安装在一个0.001 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
NDS351AN版本C