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NDS351AN 参数 Datasheet PDF下载

NDS351AN图片预览
型号: NDS351AN
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 79 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 µA
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
=125°C
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
V
GS
= 20 V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
T
J
=125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.2 A
T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.4 A
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 1.2 A,
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
3.5
1.8
0.8
0.5
1.7
1.3
0.19
0.28
0.125
30
1
10
100
-100
V
µA
µA
nA
nA
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
2
1.5
0.25
0.37
0.16
A
S
V
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
125
100
90
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ,R
= 50
6
15
14
18
15
30
30
40
2.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,I
D
= 1.2 A,
V
GS
= 4.5 V
1.9
0.5
0.9
NDS351AN版本C