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    NDS351AN 参数 Datasheet PDF下载

    NDS351AN图片预览
    型号： NDS351AN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 79 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDS351AN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDS351AN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS351AN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS351AN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS351AN的Datasheet PDF文件第6页  
    典型电气特性
    5
    1.8
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    4
    6.0
    R
    DS （上
    )
    归一化
    漏源导通电阻
    5.0
    4.5
    4.0
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    V
    GS
    = 3.5V
    3
    3.5
    2
    4.0
    4.5
    5.0
    6.0
    7.0
    10
    3.0
    1
    0
    0
    V
    DS
    1
    2
    ，漏源电压（V ）
    3
    0
    1
    2
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    3
    4
    图1.区域特征
    .
    图2.导通电阻变化
    与漏极电流和栅极电压
    .
    1.8
    1.8
    漏源导通电阻
    I
    D
    = 1.2A
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    漏源导通电阻
    1.6
    V
    GS
    = 4.5 V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    V
    GS
    = 4.5V
    TJ = 125°C
    1.4
    R
    DS （ ON）
    归一化
    1.2
    25°C
    -55°C
    1
    0.8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T，结温（ ° C）
    J
    125
    150
    0
    1
    2
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    3
    4
    图3.导通电阻变化
    随温度
    .
    图4.导通电阻变化
    与漏电流和温度
    .
    5
    V
    DS
    = 5.0V
    4
    25°C
    V
    th
    归一化
    门源阈值电压
    T = -55°C
    J
    1.2
    1.1
    1
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    -50
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    125°C
    3
    V
    DS
    = V
    GS
    I
    D
    = 250µA
    2
    1
    0
    0.5
    1
    1.5
    V
    GS
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    4.5
    5
    -25
    ，门源电压（ V）
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    图5.传输特性。
    图6.门阈值变化
    随温度
    .
    NDS351AN版本C

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