NDS351AN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NDS351AN
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内容描述：	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 79 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

典型电气特性

（续）

1.12

漏源击穿电压

我，反向漏电流（ A）

= 250µA

1.08

= 0V

DSS

归一化

TJ = 125°C

0.1

25°C

-55°C

1.04

0.01

0.96

0.001

0.92

-50

-25

100

125

150

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

，体二极管正向电压（ V）

1.2

，结温（ ° C）

图7.击穿电压变化与

温度

图8.体二极管正向电压的变化与

源电流和温度

400

，栅源电压（V ）

300

电容（pF）

= 1.2A

= 5V

10V

15V

200

150

ç国际空间站

100

ç OSS

F = 1 MHz的

= 0V

ç RSS

0.1

0.2

0.5

，漏源极电压（ V）

，栅极电荷（ NC）

图9.电容特性

图10.栅极电荷特性

D（上）

关闭

90%

D（关闭）

90%

OUT

10%

根

10%

倒

DUT

90%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

NDS351AN版本C

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