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    FDS8958B 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8958B图片预览
    型号： FDS8958B
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    内容描述： 双N和P沟道PowerTrench ？ MOSFET Q1 - N通道： 30 V ， 6.4 A， 26 mΩ的Q2- P通道： -30 V， -4.5 A， 51毫欧 [Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-Channel: 30 V, 6.4 A, 26 mΩ Q2-P-Channel: -30 V, -4.5 A, 51 mΩ]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 433 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第9页  
    FDS8958B双N & P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    电气特性
    T
    J
    = 25 ºC ，除非另有说明
    符号
    参数
    测试条件
    TYPE
    民
    典型值
    最大
    单位
    漏源二极管的特性
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    源极到漏极二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 1.3 A
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = -1.3 A
    （注2 ）
    （注2 ）
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    0.8
    -0.8
    17
    20
    6
    8
    1.2
    -1.2
    30
    36
    12
    16
    V
    ns
    nC
    Q1
    I
    F
    = 6.4 A， di / dt的= 100 A / μs的
    Q2
    I
    F
    = -4.5 A， di / dt的= 100 A / μs的
    注意事项：
    1. R
    θJA
    与安装在一个1的设备中确定
    2
    垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。 ř
    θJC
    由设计而ř
    = CA
    由下式确定
    用户的电路板设计。
    一） 78 ° C / W时，
    装在一个1在
    2
    2盎司纯铜垫
    B） 135 ° C / W时，
    安装在一
    minimun垫
    2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
    µs,
    占空比< 2.0 ％ 。
    3.连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
    4. UIL条件：起始物为
    J
    = 25 ° C，L = 1 mH的，我
    AS
    = 6 A，V
    DD
    = 27 V, V
    GS
    = 10 V 。 （Q1）的
    起始物为
    J
    = 25 ° C，L = 1 mH的，我
    AS
    = -4 A ，V
    DD
    = -27 V, V
    GS
    = -10 V. （ Q2 ）
    © 2008飞兆半导体公司
    FDS8958B Rev.B的
    3
    www.fairchildsemi.com

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