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    FDS8958B 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8958B图片预览
    型号： FDS8958B
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    内容描述： 双N和P沟道PowerTrench ？ MOSFET Q1 - N通道： 30 V ， 6.4 A， 26 mΩ的Q2- P通道： -30 V， -4.5 A， 51毫欧 [Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-Channel: 30 V, 6.4 A, 26 mΩ Q2-P-Channel: -30 V, -4.5 A, 51 mΩ]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 433 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第10页  
    FDS8958B双N & P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征（ Q1 N沟道）
    T
    J
    = 25 ºC ，除非另有说明
    2
    1
    归热
    阻抗Z
    θ
    JA
    占空比，降序排列
    0.1
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    P
    DM
    t
    1
    0.01
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 135℃ / W
    o
    t
    2
    注意事项：
    DUTY因子：D = T
    1
    /t
    2
    PEAK牛逼
    J
    = P
    DM
    X Z
    θJA
    个R
    θJA
    + T
    A
    0.001
    -4
    10
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    1
    10
    100
    1000
    吨，矩形脉冲持续时间（秒）
    图12.结至环境瞬态热响应曲线
    © 2008飞兆半导体公司
    FDS8958B Rev.B的
    6
    www.fairchildsemi.com

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