FDS8958B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS8958B
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内容描述：	双N和P沟道PowerTrench ？ MOSFET Q1 - N通道： 30 V ， 6.4 A， 26 mΩ的Q2- P通道： -30 V， -4.5 A， 51毫欧 [Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-Channel: 30 V, 6.4 A, 26 mΩ Q2-P-Channel: -30 V, -4.5 A, 51 mΩ]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	10 页 / 433 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS8958B双N & P沟道PowerTrench

MOSFET

2008年12月

FDS8958B

双N & P沟道PowerTrench

MOSFET

Q1 - N通道： 30 V ， 6.4 A， 26 mΩ的Q2- P通道： -30 V， -4.5 A， 51毫欧

特点

Q1 ： N沟道

最大ř

DS （ ON）

= 26毫欧，在V

= 10 V，I

= 6.4 A

最大ř

DS （ ON）

= 39毫欧，在V

= 4.5 V，I

= 5.2 A

Q2 ： P通道

最大ř

DS （ ON）

= 51毫欧，在V

= -10 V，I

= -4.5 A

最大ř

DS （ ON）

= 80毫欧，在V

= -4.5 V，I

= -3.3 A

HBM ESD保护等级> 3.5千伏（注3 ）

符合RoHS

概述

这些双N沟道和P沟道增强型功率科幻场

场效应晶体管都采用飞兆半导体的出品

先进的PowerTrench

过程一直特别

针对减少通态电阻，但保持

出色的开关性能。

这些装置非常适用于低电压和电池

供电应用的低线的功率损耗和快速

开关是必需的。

应用

DC- DC转换器

BLU和马达驱动逆变器

销1

SO-8

MOSFET的最大额定值

= 25 ºC ，除非另有说明

符号

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

功耗双操作

, T

英镑

功率消耗单操作

单脉冲雪崩能量

工作和存储结温范围

= 25 °C

（注1A ）

（注1B ）

（注4 ）

-55到+150

= 25 °C

参数

±20

6.4

2.0

1.6

0.9

°C

-30

±25

-4.5

-30

单位

热特性

θJC

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1A ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS8958B

设备

FDS8958B

包

SO-8

带尺寸

13 ”

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

2500台

www.fairchildsemi.com

FDS8958B Rev.B的

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