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    FDS8958B 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8958B图片预览
    型号： FDS8958B
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    内容描述： 双N和P沟道PowerTrench ？ MOSFET Q1 - N通道： 30 V ， 6.4 A， 26 mΩ的Q2- P通道： -30 V， -4.5 A， 51毫欧 [Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-Channel: 30 V, 6.4 A, 26 mΩ Q2-P-Channel: -30 V, -4.5 A, 51 mΩ]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 433 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第10页  
    FDS8958B双N & P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征（ Q2 P沟道）
    T
    J
    = 25 ºC ，除非另有说明
    30
    V
    GS
    = -6 V
    脉冲持续时间= 80
    µ
    s
    占空比= 0.5 ％ MAX
    V
    GS
    = -4.5 V
    归
    漏极至源极导通电阻
    4.5
    V
    GS
    = -10 V
    -I
    D
    ,
    漏电流（ A）
    4.0
    3.5
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0
    V
    GS
    = -3.5 V
    V
    GS
    = -4 V
    V
    GS
    = -4.5 V
    脉冲持续时间= 80
    µ
    s
    占空比= 0.5 ％ MAX
    V
    GS
    = -6 V
    24
    18
    12
    V
    GS
    = -4 V
    6
    V
    GS
    = -3.5 V
    0
    0.0
    V
    GS
    = -10 V
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    6
    12
    18
    24
    30
    -V
    DS
    ,
    漏源极电压（ V）
    -I
    D
    ,
    漏电流（ A）
    图15.开 - 地区特点
    图16.归一通电阻与漏
    电流和栅极电压
    200
    源导通电阻
    (
    m
    Ω
    )
    1.6
    归
    漏极至源极导通电阻
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    -75
    I
    D
    = -4.5 A
    V
    GS
    = -10 V
    r
    DS （ON ） ，
    漏
    脉冲持续时间= 80
    µ
    s
    占空比= 0.5 ％ MAX
    160
    I
    D
    = -2.3 A
    120
    80
    40
    T
    J
    = 25
    o
    C
    T
    J
    = 125
    o
    C
    -50
    -25
    0
    25 50 75 100 125 150
    T
    J
    ,
    结温
    (
    o
    C
    )
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    -V
    GS
    ,
    门源电压（ V）
    图17.归一导通电阻
    VS结温
    图18.导通电阻与栅极到
    源极电压
    30
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    脉冲持续时间= 80
    µ
    s
    占空比= 0.5 ％ MAX
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    30
    V
    GS
    = 0 V
    10
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    DS
    = -5 V
    T
    J
    = -55
    o
    C
    T
    J
    = 25
    o
    C
    T
    J
    = 125
    o
    C
    T
    J
    = 125
    o
    C
    T
    J
    = 25
    o
    C
    0.1
    T
    J
    = -55
    o
    C
    0.01
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    1.6
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图19.传输特性
    图20.源极到漏极二极管
    正向电压随电流源
    © 2008飞兆半导体公司
    FDS8958B Rev.B的
    7
    www.fairchildsemi.com

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