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    FDS8958B 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8958B图片预览
    型号： FDS8958B
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    内容描述： 双N和P沟道PowerTrench ？ MOSFET Q1 - N通道： 30 V ， 6.4 A， 26 mΩ的Q2- P通道： -30 V， -4.5 A， 51毫欧 [Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-Channel: 30 V, 6.4 A, 26 mΩ Q2-P-Channel: -30 V, -4.5 A, 51 mΩ]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 433 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FDS8958B的Datasheet PDF文件第10页  
    FDS8958B双N & P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征（ Q2 P沟道）
    T
    J
    = 25 ºC ，除非另有说明
    10
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    I
    D
    = -4.5 A
    2000
    1000
    电容（pF）
    V
    DD
    = -10 V
    8
    6
    V
    DD
    = -15 V
    C
    国际空间站
    4
    V
    DD
    = -20 V
    C
    OSS
    100
    C
    RSS
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    2
    0
    0
    3
    6
    9
    12
    15
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    30
    0.1
    1
    10
    30
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图21.栅极电荷特性
    图22.电容VS漏
    至源极电压
    10
    -I
    g,
    栅极漏电流（ A）
    -2
    -I
    AS
    ，雪崩电流（ A）
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    T
    J
    = 125
    o
    C
    T
    J
    = 25
    o
    C
    10
    10
    10
    10
    10
    10
    -3
    V
    GS
    = 0V
    -4
    -5
    T
    J
    = 125
    o
    C
    -6
    -7
    -8
    T
    J
    = 25
    o
    C
    1
    0.01
    10
    -9
    0.1
    1
    10
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    t
    AV
    ，一次雪崩（毫秒）
    -V
    GS ，
    门源电压（ V）
    图23.非钳位感应
    交换能力
    100
    P
    (
    PK
    )
    ,
    瞬态峰值功率（ W）
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    图24.免疫球蛋白VS的Vgs
    200
    100
    V
    GS
    = -10 V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    0.1毫秒
    1毫秒
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 135
    o
    C / W
    1
    10毫秒
    单脉冲
    T
    J
    =最大额定
    R
    θ
    JA
    = 135
    o
    C / W
    T
    A
    = 25
    o
    C
    100毫秒
    1s
    10 s
    DC
    10
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.1
    1
    0.5
    -4
    10
    10
    -3
    0.01
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    10
    -2
    10
    -1
    1
    10
    100
    1000
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    T，脉冲宽度（秒）
    图25.正向偏置安全
    工作区
    图26.单脉冲最大功率
    耗散
    © 2008飞兆半导体公司
    FDS8958B Rev.B的
    8
    www.fairchildsemi.com

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