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NDS9936 参数 Datasheet PDF下载

NDS9936图片预览
型号: NDS9936
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 345 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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Typical Electrical Characteristics  
18  
2
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
VGS =10V  
6.0  
5.0  
4.5  
VGS = 3.5V  
4.0  
12  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
3.0  
6
6.0  
10  
2.5  
0
0.8  
0
1
2
3
0
2
4
6
8
10  
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
I
, DRAIN CURRENT (A)  
DS  
D
Figure 1. On-Region Characteristics.  
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage  
and Drain Current.  
1.6  
1.4  
1.2  
1
2.5  
2
T
(°C) 125  
25  
J
ID = 5A  
V GS = 10V  
-55  
VGS = 4.5 V  
10V  
4.5V  
1.5  
1
10V  
0.8  
4.5V  
10V  
0.6  
-50  
0.5  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
2
4
6
8
10  
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
I
, DRAIN CURRENT (A)  
D
Figure 3. On-Resistance Variation  
with Temperature.  
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain  
Current and Temperature.  
10  
8
1.2  
T
= -55°C  
VDS = 15V  
25  
J
VDS = VGS  
I D = 250µA  
125  
1.1  
1
6
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
4
2
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
GS  
Figure 5. Transfer Characteristics.  
Figure 6. Gate Threshold Variation with  
Temperature.  
NDS9936.SAM  
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