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NDS9936图片预览
型号: NDS9936
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 345 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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Typical Electrical Characteristics (continued)  
12  
30  
10  
T
= -55°C  
J
10  
8
3
1
25°C  
6
125°C  
0.3  
0.1  
4
VGS = 10V  
SINGLE PULSE  
TA = 25°C  
2
0.03  
0.01  
VDS = 10V  
0
0
2
4
6
8
10  
1
2
3
5
10  
20  
30  
I
, DRAIN CURRENT (A)  
V
DS  
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
D
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.  
Figure 13. Transconductance Variation with Drain  
Current and Temperature.  
1
D = 0.5  
0.2  
0.5  
0.2  
0.1  
R
(t) = r(t) * R  
JA  
q
JA  
q
R
= See Note 1c  
0.1  
0.05  
JA  
q
0.05  
P(pk)  
0.02  
0.01  
Single Pulse  
0.02  
0.01  
t
1
t
2
0.005  
T
- T  
= P * R  
(t)  
2
J
JA  
A
q
Duty Cycle, D = t / t  
1
0.002  
0.001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
t1, TIME (sec)  
1
10  
100  
300  
Figure 15. Transient Thermal Response Curve.  
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change  
depending on the circuit board design.  
NDS9936.SAM  
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