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    FDS8958A_10 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8958A_10图片预览
    型号： FDS8958A_10
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    内容描述： 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 799 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8958A_10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8958A_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958A_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958A_10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958A_10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958A_10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958A_10的Datasheet PDF文件第8页  
    Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)  
    1
    D = 0.5  
    RqJA (t) = r(t) * R qA  
    RqJA = 135 °C/W  
    0.2  
    0.1  
    0.1  
    0.05  
    0.02  
    P(pk)  
    0.01  
    t1  
    t2  
    0.01  
    SINGLE PULSE  
    TJ - TA = P * RqJA(t)  
    Duty Cycle, D = t1 / t2  
    0.001  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000  
    t1, TIME (sec)  
    Figure 23. Transient Thermal Response Curve.  
    Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.  
    Transient thermal response will change depending on the circuit board design.  
    FDS8958A_F085 Rev. A  
    7
    www.fairchildsemi.com  

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