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FDS8958A_10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS8958A_10
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内容描述: 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 799 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)  
10  
800  
600  
400  
200  
0
ID = 7A  
VDS = 10V  
f = 1MHz  
VGS = 0 V  
20V  
8
6
4
2
0
15V  
Ciss  
Coss  
Crss  
0
5
10  
15  
20  
0
2
4
6
8
10  
12  
Qg, GATE CHARGE (nC)  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 7. Gate Charge Characteristics.  
Figure 8. Capacitance Characteristics.  
100  
10  
10  
100  
µ
s
RDS(ON) LIMIT  
1ms  
10ms  
100ms  
1s  
1
Tj=25  
10s  
DC  
VGS = 10V  
SINGLE PULSE  
RθJA = 135oC/W  
TA = 25oC  
Tj=125  
0.1  
0.01  
1
0.01  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
tAV, TIME IN AVALANCHE (mS)  
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.  
Figure 10. Unclamped Inductive Switching  
Capability Figure  
50  
40  
30  
20  
SINGLE PULSE  
RθJA = 135°C/W  
T
A = 25°C  
10  
0
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
t1, TIME (sec)  
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation.  
FDS8958A_F085 Rev. A  
5
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