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ES29DS800E-90RTG 参数 Datasheet PDF下载

ES29DS800E-90RTG图片预览
型号: ES29DS800E-90RTG
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内容描述: 的8Mbit ( 1M ×8 / 512K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 50 页 / 680 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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E S I  
E S I  
Excel Semiconductor inc.  
AC CHARACTERISTICS  
Table 9. Read-Only Operations  
Parameter  
Speed Options Unit  
Description  
Test Setup  
JEDEC Std.  
70  
Min 70  
Max 70  
Max 70  
Max 30  
Max  
90  
90  
90  
90  
35  
120  
120  
120  
120  
50  
tAVAV  
tRC  
tACC  
tCE  
tOE  
tDF  
Read Cycle Time(Note 1)  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tAVQV  
tELQV  
tGLQV  
tEHQZ  
tGHQZ  
tAXQX  
Address to Output Delay  
CE#,OE#=VIL  
OE#=VIL  
Chip Enable to Output Delay  
Output Enable to Output Delay  
Chip Enable to Output High Z (Note 1)  
Output Enable to Output High Z (Note 1)  
16  
16  
0
tDF  
Max  
tOH  
Output Hold Time From Addresses, CE# or OE#,  
Whichever Occurs First  
Min  
tOEH  
Output Enable Hold  
Time (Note 1)  
Read  
Min  
Min  
0
ns  
ns  
Toggle and Data# Polling  
10  
Note : 1. Not 100% tested  
tRC  
Address  
Address Stable  
tACC  
CE#  
OE#  
WE#  
tRH  
tDF  
tRH  
tOE  
tOEH  
tCE  
tOH  
High-Z  
High-Z  
OUTPUTS  
Output Valid  
RESET#  
RY/BY#  
0V  
Figure 16. Read Operation Timings  
30  
Rev. 1D January 5, 2006  
ES29LV800D  
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