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ES29DS800E-90RTG 参数 Datasheet PDF下载

ES29DS800E-90RTG图片预览
型号: ES29DS800E-90RTG
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内容描述: 的8Mbit ( 1M ×8 / 512K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 50 页 / 680 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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E S I  
E S I  
Excel Semiconductor inc.  
AC CHARACTERISTICS  
Table 11. Word/Byte Configuration (BYTE#)  
Parameter  
Description  
70  
90  
120  
Unit  
JEDEC  
Std.  
tELFL/tELFH  
tFLQZ  
CE# to BYTE# Switching Low or High  
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z  
BYTE# Switching High to Output Active  
Max  
Max  
Min  
5
ns  
ns  
ns  
25  
70  
30  
90  
30  
tFHQV  
120  
CE#  
OE#  
BYTE#  
tELFL  
Data Output  
(DQ0-DQ14)  
Data Output  
(DQ0-DQ7)  
BYTE# Switching  
Switching from  
word to byte mode  
DQ0-DQ14  
DQ15/A-1  
DQ15  
Output  
Address Input  
tFLQZ  
tELFH  
BYTE#  
BYTE# Switching  
Switching from  
byte to word mode  
Data Output  
(DQ0-DQ7)  
Data Output  
(DQ0-DQ14)  
DQ0-DQ14  
DQ15  
Output  
Address Input  
DQ15/A-1  
tFHQV  
Figure 18. BYTE# Timing for Read Operations  
CE#  
The falling edge of the last WE# signal  
WE#  
BYTE#  
tSET  
tHOLD  
(tAH  
(tAS  
)
)
Note : Refer to the Erase/Program Operations table for tAS and tAH specifications.  
Figure 19. BYTE# Timing for Write Operations  
32  
Rev. 1D January 5, 2006  
ES29LV800D  
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