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EM638165TS-7IG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM638165TS-7IG
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内容描述: [4M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 53 页 / 517 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EM638165  
EtronTech  
Table 12. Absolute Maximum Rating  
Symbol  
VIN, VOUT  
VDD, VDDQ  
TA  
Item  
- 5I/6I/7I  
- 1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
-40 ~ 85  
- 55 ~ 150  
1
Unit Note  
Input, Output Voltage  
Power Supply Voltage  
Ambient Temperature  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
V
V
1
1
1
1
1
1
°C  
°C  
W
TSTG  
PD  
IOS  
Short Circuit Output Current  
50  
mA  
Table 13. Recommended D.C. Operating Conditions  
(TA = -40~85°C)  
Symbol  
VDD  
Parameter  
Min.  
3.0  
Typ.  
3.3  
3.3  
Max. Unit Note  
Power Supply Voltage  
3.6  
3.6  
V
V
V
V
2
2
2
2
VDDQ  
VIH  
Power Supply Voltage(for I/O Buffer)  
LVTTL Input High Voltage  
3.0  
2.0  
VDDQ+0.3  
0.8  
VIL  
IIL  
LVTTL Input Low Voltage  
- 0.3  
Input Leakage Current  
( 0V VIN VDD, All other pins not under test = 0V )  
- 10  
10  
10  
µA  
µA  
V
Output Leakage Current  
Output disable, 0V VOUT VDDQ  
IOL  
VOH  
VOL  
- 10  
2.4  
)
LVTTL Output "H" Level Voltage  
( IOUT = -2mA )  
LVTTL Output "L" Level Voltage  
( IOUT = 2mA )  
0.4  
V
Table 14. Capacitance  
(VDD = 3.3V, f = 1MHz, TA = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
pF  
CI  
Input Capacitance  
Input/Output Capacitance  
1
2
4
5
CI/O  
pF  
Note: These parameters are periodically sampled and are not 100% tested.  
Rev. 5.2  
17  
Rev. 5.2  
Dec. /2013  
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