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    M52D128168A-7TG 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-7TG图片预览
    型号： M52D128168A-7TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M ×16位×4手机银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器手机
    文件页数/大小： 48 页 / 1178 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第37页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第38页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第39页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第41页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第42页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第43页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第44页  
    ESMT  
    M52D128168A  
    Write interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page  
    *Note: 1. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding memory cell. It is defined  
    by AC parameter of tRDL.  
    DQM at write interrupted by precharge command is needed to prevent invalid write.  
    DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst.  
    Input data after Row precharge cycle will be masked internally.  
    2. Burst stop is valid at every burst length.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Aug. 2009  
    Revision: 1.3 40/48  

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