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    M52D128168A-7TG 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-7TG图片预览
    型号： M52D128168A-7TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M ×16位×4手机银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器手机
    文件页数/大小： 48 页 / 1178 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第37页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第38页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第40页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第41页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第42页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第43页  
    ESMT  
    M52D128168A  
    Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page  
    *Note: 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.  
    Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1, 2 on them.  
    But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.  
    Refer the timing diagram of “Full page write burst stop cycles”.  
    2. Burst stop is valid at every burst length.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Aug. 2009  
    Revision: 1.3 39/48  

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