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    M52D128168A-7TG 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-7TG图片预览
    型号： M52D128168A-7TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M ×16位×4手机银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器手机
    文件页数/大小： 48 页 / 1178 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第37页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第38页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第39页  
    ESMT  
    M52D128168A  
    Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4  
    *Note: 1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.  
    2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Aug. 2009  
    Revision: 1.3 35/48  

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