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M24L816512SA-55BEG 参数 Datasheet PDF下载

M24L816512SA-55BEG图片预览
型号: M24L816512SA-55BEG
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内容描述: 8兆位( 512K ×16 )伪静态RAM [8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 328 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M24L816512SA  
Switching Waveforms (continued)  
Write Cycle 1 ( WE Controlled) [12, 13, 17, 18, 19]  
Write Cycle 2 (CE Controlled) [12, 13, 17, 18, 19]  
Notes:  
17.Data I/O is high impedance if OE VIH.  
18.If Chip Enable goes INACTIVE simultaneously with WE = HIGH, the output remains in a high-impedance state.  
19.During the DON’T CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jun. 2009  
Revision : 1.5 7/14  
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