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    M24L816512SA-55BEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L816512SA-55BEG图片预览
    型号： M24L816512SA-55BEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 512K ×16 ）伪静态RAM [8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 328 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L816512SA-55BEG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24L816512SA-55BEG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L816512SA-55BEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L816512SA-55BEG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M24L816512SA-55BEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L816512SA-55BEG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24L816512SA-55BEG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M24L816512SA-55BEG的Datasheet PDF文件第11页  
    ESMT  
    M24L816512SA  
    Switching Waveforms (continued)  
    Write Cycle 1 ( WE Controlled) [12, 13, 17, 18, 19]  
    Write Cycle 2 (CE Controlled) [12, 13, 17, 18, 19]  
    Notes:  
    17.Data I/O is high impedance if OE ≥ VIH.  
    18.If Chip Enable goes INACTIVE simultaneously with WE = HIGH, the output remains in a high-impedance state.  
    19.During the DON’T CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date : Jun. 2009  
    Revision : 1.5 7/14  

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