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    M12S128168A_08 参数 Datasheet PDF下载

    M12S128168A_08图片预览
    型号： M12S128168A_08
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    内容描述： 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 45 页 / 1036 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    M12S128168A  
    Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4  
    *Note : 1. To interrupt burst write by Row precharge , DQM should be asserted to mask invalid input data.  
    2. To interrupt burst write by Row precharge , both the write and the precharge banks must be the same.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Apr. 2008  
    Revision: 1.1 34/45  

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