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    M12S128168A_08 参数 Datasheet PDF下载

    M12S128168A_08图片预览
    型号： M12S128168A_08
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    内容描述： 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 45 页 / 1036 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    M12S128168A  
    Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page  
    *Note : 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.  
    Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1,2 on them.  
    But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.  
    Refer the timing diagram of “Full page write burst stop cycles”.  
    2. Burst stop is valid at every burst length.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Apr. 2008  
    Revision: 1.1 38/45  

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