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M11L416256SA-40T 参数 Datasheet PDF下载

M11L416256SA-40T图片预览
型号: M11L416256SA-40T
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内容描述: [EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40]
分类和应用: 动态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 16 页 / 230 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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M11L416256A/M11L416256SA  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
WE  
DATA-IN BUFFER  
RAS  
CONTROL  
LOGIC  
IO0  
:
IO15  
16  
CASL  
CASH  
CLOCK  
GENERATOR  
DATA-OUT  
BUFFER  
OE  
COLUMN  
DECODER  
COLUMN  
ADDRESS  
BUFFER  
9
9
16  
A0  
A1  
A2  
A3  
512  
16  
SENSE AMPLIFIERS  
I/O GATING 8  
REFRESH  
CONTROLER  
512 x 16  
A4  
A5  
A6  
REFRESH  
COUNTER  
A7  
A8  
99  
512 x 512 x 16  
MEMORY  
ARRAY  
512  
ROW.  
ADDRESS  
BUFFERS(9)  
9
9
VCC  
VSS  
VBB GENERATOR  
PIN DESCRIPTIONS  
PIN NO.  
PIN NAME  
TYPE  
DESCRIPTION  
Address Input  
16~19,22~26  
A0~A8  
Input  
Row Address : A0~A8  
Column Address : A0~A8  
14  
28  
29  
13  
27  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Row Address Strobe  
RAS  
CASH  
CASL  
WE  
Column Address Strobe / Upper Byte Control  
Column Address Strobe / Lower Byte Control  
Write Enable  
Output Enable  
OE  
2~5,7~10,31~34,36~39 I/O0 ~ I/O15  
Input / Output Data Input / Output  
CC  
1,6,20  
21,35,40  
V
Supply  
Ground  
-
Power, 3.3V  
Ground  
SS  
V
11,12,15,30  
NC  
No Connect  
Elite Memory Technology Inc  
Publication Date: Agu. 2001  
Revision : 1.3 2/16  
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