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EN29F010-70SIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29F010-70SIP
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内容描述: 1兆位( 128K ×8位), 5V闪存 [1 Megabit (128K x 8-bit) 5V Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 428 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29F010  
Table 9. AC CHARACTERISTICS  
Write (Erase/Program) Operations  
Parameter  
Symbols  
Speed Options  
JEDEC  
Standard  
Description  
-45  
-55  
-70  
-90  
Unit  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
45  
55  
70  
90  
ns  
tAVAV  
tWC  
Write Cycle Time  
0
35  
20  
0
0
45  
25  
0
0
45  
30  
0
0
45  
45  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
tAVWL  
tWLAX  
tDVWH  
tWHDX  
tAS  
tAH  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
tDS  
tDH  
tOES  
Data Hold Time  
Min  
MIn  
Min  
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
Output Enable Setup Time  
Read  
Output Enable  
Toggle and  
tOEH  
Hold Time  
10  
10  
10  
10  
Polling  
DATA  
Read Recovery Time before  
Min  
0
0
0
0
ns  
tGHWL  
tGHWL  
Write (  
High to  
Low)  
W E  
OE  
CE  
CE  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Min  
0
0
0
0
0
0
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
µs  
s
tELWL  
tWHEH  
tWLWH  
tWHDL  
tCS  
tCH  
tWP  
tWPH  
SetupTime  
Hold Time  
25  
20  
7
30  
20  
7
35  
20  
7
45  
20  
7
Write Pulse Width  
Write Pulse Width High  
tWHWH1 tWHWH1  
tWHWH2 tWHWH2  
tWHWH3 tWHWH3  
Programming Operation  
200  
0.3  
5
200  
0.3  
5
200  
0.3  
5
200  
0.3  
5
Sector Erase Operation  
s
3
3
3
3
s
Chip Erase Operation  
Vcc Setup Time  
35  
50  
35  
50  
35  
50  
35  
50  
s
µs  
tVCS  
Min  
500  
500  
500  
500  
ns  
tVIDR  
Rise Time to V  
ID  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2003 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
23  
Rev. A, Issue Date: 2003/10/20  
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