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HM51W16165LTT-5 参数 Datasheet PDF下载

HM51W16165LTT-5图片预览

型号：	HM51W16165LTT-5
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内容描述：	16M的EDO DRAM （ 1 - Mword ×16位）， 4K的刷新/ 1千刷新 [16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	35 页 / 598 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

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HM51W16165 Series, HM51W18165 Series

Notes concerning 2CAS control

Please do not separate the UCAS/LCAS operation timing intentionally. However skew between

UCAS/LCAS are allowed under the following conditions.

1. Each of the UCAS/LCAS should satisfy the timing specifications individually.

2. Different operation mode for upper/lower byte is not allowed; such as following.

RAS

Delayed write

UCAS

Early write

LCAS

WE

3. Closely separated upper/lower byte control is not allowed. However when the condition (t_CP≤ t_UL) is

satisfied, EDO page mode can be performed.

RAS

UCAS

LCAS

t

UL

4. Byte control operation by remaining UCAS or LCAS high is guaranteed.

Data Sheet E0153H10

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