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HM5164805FTT-5 参数 Datasheet PDF下载

HM5164805FTT-5图片预览
型号: HM5164805FTT-5
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内容描述: 64男EDO DRAM ( 8 Mword × 8位)为8K刷新/ 4K的刷新 [64 M EDO DRAM (8-Mword × 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 34 页 / 220 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5164805F Series, HM5165805F Series  
EDO Page Mode Cycle  
HM5164805F/HM5165805F  
-5  
Min  
20  
28  
3
-6  
Parameter  
Symbol  
tHPC  
Max  
Min  
25  
Max  
Unit  
Notes  
20  
EDO page mode cycle time  
EDO page mode RAS pulse width  
Access time from CAS precharge  
RAS hold time from CAS precharge  
Output data hold time from CAS low  
CAS hold time referred OE  
CAS to OE setup time  
ns  
tRASP  
tCPA  
tCPRH  
tDOH  
100000 —  
100000 ns  
16  
28  
35  
3
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
9, 17  
9, 22  
tCOL  
8
10  
5
tCOP  
5
Read command hold time from  
tRCHC  
28  
35  
CAS precharge  
Write pulse width during CAS precharge tWPE  
OE precharge time tOEP  
8
8
10  
10  
ns  
ns  
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle  
HM5164805F/HM5165805F  
-5  
-6  
Parameter  
Symbol  
Min  
57  
Max  
Min  
68  
Max  
Unit  
Notes  
EDO page mode read-modify-write  
cycle time  
tHPRWC  
ns  
WE delay time from CAS precharge  
tCPW  
45  
54  
ns  
14  
Refresh (HM5164805F Series)  
Parameter  
Symbol  
tREF  
Max  
Unit  
Notes  
Refresh period  
64  
ms  
8192 cycles  
Refresh (HM5165805F Series)  
Parameter  
Symbol  
Max  
Unit  
Notes  
Refresh period  
tREF  
64  
ms  
4096 cycles  
Data Sheet E0098H10  
14