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EDD1208ALTA-7A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDD1208ALTA-7A
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内容描述: 128 M位同步DRAM是双倍数据速率( 4 -银行, SSTL_2 ) [128 M-bit Synchronous DRAM with Double Data Rate (4-bank, SSTL_2)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 78 页 / 1650 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD1204ALTA, EDD1208ALTA, EDD1216ALTA  
9.2 Write to Precharge Command Interval  
In order to write all burst data to the memory cell correctly, the asynchronous parameter tWR must be satisfied. The  
tWR specification defines the earliest time that a precharge command can be issued.  
Burst length = 4  
T0  
T1  
T2  
T3  
T4  
T5  
tWR  
CLK  
/CLK  
DM  
/CAS latency = 2, 2.5  
Command  
WRITE  
PRE  
Preamble  
Postamble  
DQS  
DQ  
Hi-Z  
Q1  
Q2  
Q3  
Q4  
(Must satisfy tRAS)  
27  
Preliminary Data Sheet E0136E30  
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