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MTC2804Q8 参数 Datasheet PDF下载

MTC2804Q8图片预览
型号: MTC2804Q8
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内容描述: N和P沟道增强型功率MOSFET [N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 236 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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Spec. No. : C438Q8  
Issued Date : 2009.02.11  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 3/9  
P-Channel Electrical Characteristics (Tc=25°C, unless otherwise specified)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
Static  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
-40  
-1.0  
-
-1.5  
-
-
-
-
-3.0  
±100  
-1  
-25  
44  
V
V
nA  
μA  
μA  
VGS=0, ID=-250μA  
VDS=VGS, ID=-250μA  
VGS=±20V, VDS=0  
-
-
-
-
-
VDS=-32V, VGS=0  
IDSS  
VDS=-30V, VGS=0, Tj=125°C  
ID=-6A, VGS=-10V  
ID=-5A, VGS=-7V  
38  
46  
*RDS(ON)  
*GFS  
mΩ  
55  
-
11  
-
S
VDS=-5V, ID=-6A  
Dynamic  
Ciss  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1039  
327  
301  
6.5  
9.5  
18  
10  
9
1.5  
2.9  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF  
ns  
VDS=-20V, VGS=0, f=1MHz  
Coss  
Crss  
*td(ON)  
*tr  
*td(OFF)  
*tf  
*Qg  
Ω
VDS=-10V, ID=-1A, VGS=-10V, RG=6  
nC  
VDS=-20V, ID=-6A, VGS=-10V  
VGS=0V, IS=-6A  
*Qgs  
*Qgd  
Source-Drain Diode  
*VSD  
*IS  
*ISM  
-
-
-
-
-
-
-1.3  
-6  
-20  
V
A
*Pulse Test : Pulse Width 300μs, Duty Cycle2%  
MTC2804Q8  
CYStek Product Specification  
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