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BS62UV1024JC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BS62UV1024JC
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内容描述: 超低功率/电压CMOS SRAM 128K ×8位 [Ultra Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 391 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI  
BS62UV1024  
„ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 0oC to + 70oC, Vcc=2.0V )  
WRITE CYCLE  
JEDEC  
PARAMETER  
BS62UV1024-15  
MIN. TYP. MAX.  
PARAMETER  
NAME  
DESCRIPTION  
Write Cycle Time  
UNIT  
NAME  
tAVAX  
tWC  
150  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tE1LWH  
tAVWL  
tAVWH  
tWLWH  
tWHAX  
tE2LAX  
tWLOZ  
tDVWH  
tWHDX  
tGHOZ  
tWHQX  
tCW  
tAS  
Chip Select to End of Write  
Address Set up Time  
150  
0
--  
--  
tAW  
tWP  
tWR1  
tWR2  
tWHZ  
tDW  
tDH  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
150  
80  
0
--  
--  
Write Recovery Time  
(CE1 , WE)  
(CE2)  
--  
Write Recovery Time  
0
--  
Write to Output in High Z  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Disable to Output in High Z  
End of Write to Output Active  
--  
40  
--  
50  
0
--  
tOHZ  
tOW  
0
40  
--  
5
„ SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)  
WRITE CYCLE1 (1)  
t
WC  
ADDRESS  
OE  
(3)  
t
WR1  
(11)  
CW  
t
(5)  
CE1  
(5)  
(11)  
(2)  
CE2  
t
t
CW  
WP  
t
WR2  
t
AW  
(3)  
t
AS  
(4,10)  
OHZ  
WE  
t
D OUT  
t
DH  
t
DW  
D IN  
Revision 2.2  
April 2001  
R0201-BS62UV1024  
6
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