奥斯汀半导体公司
8梅格×16× 4银行
双倍数据速率SDRAM
婴儿床，塑料封装
微型电路
特点
• V
DD
= +2.5V ±0.2V, V
DD
Q = + 2.5V ± 0.2V
•双向数据选通（ DQS ）发送/接收数据，
也就是说，源同步数据采集（有两个 - 每个字节1 ）
•内部，流水线双倍数据速率（DDR ）架构;两个数据
每个时钟周期的访问
•差分时钟输入（ CK和CK ＃ ）
•进入每个积极的CK边缘命令
• DQS边沿对齐的数据进行读操作;中心对齐数据
对于写操作
• DLL对齐DQ和DQS转换与CK
•四个内部银行的并发操作
•数据屏蔽（ DM ），用于屏蔽写入数据（有每字节的二一）
•可编程突发长度： 2 ， 4或8
•自动刷新和自刷新模式
•更长的引脚TSOP提高可靠性（ OCPL ）
• 2.5V的I / O （ SSTL_2兼容）
•支持并发自动预充电选项
• t
RAS
支持锁定（T
RAP
= t
RCD
)
COTS
COTS PEM
SDRAM
AS4DDR32M16
（ TOP VIEW ）
引脚分配
图1 ： 66引脚TSOP
选项
•配置
梅格32 ×16 （ 8梅格×16× 4组）
®包装
塑料66引脚TSOPII
（ 400密耳的宽度， 0.65毫米引脚间距）
•时间 - 周期时间
为6ns @ CL = 2.5 （ DDR333 ）
（仅FBGA ） （未来产品）
7.5ns @ CL = 2.5 （ DDR266B ）
为8ns @ CL = 2.5 （ DDR250 ）
•温度额定值
工业温度（ -40 ° C至+ 85°C ）
工业温度（ -40 ° C至+ 105 ° C）
军用温度（ -55 ° C至+ 125°C ）
记号
32M16
Configuation
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
8梅格×16× 4银行
8K
8K （ A0 - A12 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
1K （ A0 - A9 ）
DG
表1 ：关键时序参数
-6
-75
-8
速度
GRADE
-6
-75
-8
时钟速率
CL = 2
133兆赫
100兆赫
100兆赫
CL=2.5
167兆赫
133兆赫
125兆赫
数据输出
窗口
2.1纳秒
2.5纳秒
2.7纳秒
ACCESS
窗口
± 0.7纳秒
± 0.75纳秒
-0.8纳秒
DQS -DQ
SKEW
0.40纳秒
0.5纳秒
-0.6纳秒
注意事项：
IT
ET
XT
* CL = CAS （ READ ）延迟
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS4DDR32M16
修订版1.5 06/06
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
