奥斯汀半导体公司
COMMANDS
表4和表5中提供可用的快速参考
命令。这之后是由每个文字描述
命令。两个额外的真值表如表7和表8
出现下面的操作部分，提供当前状态/
下一个状态的信息。
COTS
COTS PEM
SDRAM
AS4DDR32M16
表4 ：真值表 - 命令（注1适用于所有命令）
功能
取消选择（ NOP ）
无操作（ NOP ）
ACTIVE （选择银行并激活行）
READ （选择银行和列，然后开始读突发）
WRITE （选择银行和列，然后开始写突发）
BURST TERMINATE
预充电（停用排在银行或银行）
自动刷新或自刷新（进入自刷新模式）
加载模式寄存器
CS ＃
H
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS ＃
X
H
L
H
H
H
L
L
L
CAS ＃
X
H
H
L
L
H
H
L
L
WE＃
X
H
H
H
L
L
L
H
L
ADDR注意事项
X
9
X
9
行/列
3
行/列
4
行/列
4
X
8
CODE
5
X
6, 7
操作码
2
注意事项：
1. CKE是高的，除了自刷新显示的所有命令。
2. BA0 - BA1选择模式寄存器或扩展模式寄存器（ BA0 = 0 ， BA1 = 0选择模式寄存器; BA0 = 1 ， BA1 = 0选择
扩展模式寄存器; BA0 - BA1的其他组合被保留） 。 A0 -A12提供的操作码被写入到所选择的模式
注册。
3. BA0 - BA1提供银行地址和A0- A12提供行地址。
4. BA0 - BA1提供银行地址; A0 -A9提供列地址。
A10 HIGH启用自动预充电功能（非持久） ，和A10 LOW禁用自动预充电功能。
5. A10低： BA0 - BA1确定哪些银行进行预充电。 A10 HIGH ：“不关心”的所有银行预充电和BA0 - BA1是
6.此命令自动刷新，如果CKE为高电平时，自刷新，如果CKE为低。
7.内部刷新计数器控制行寻址;对于在自刷新模式下，所有的输入和I / O的“不关心” ，除了CKE 。
8.仅适用于突发读取与自动预充电禁用;这个命令是未知的（并且不应该用），用于读的脉冲串与自动
预充电使能和写突发。
9.取消和NOP在功能上是可以互换的。
表5 ：真值表 - DM操作
（注1适用于所有的命令）
功能
写使能
写禁止
DM
L
H
DQ
有效
X
注意：
1.用于掩蔽写数据;与相应的数据提供一致。
AS4DDR32M16
修订版1.5 06/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
