奥斯汀半导体公司
DESELECT
取消选择功能（ CS ＃高）防止新
从由DDR SDRAM执行命令。在DDR
SDRAM有效地取消。操作已
进度不受影响。
COTS
COTS PEM
SDRAM
AS4DDR32M16
无操作（ NOP ）
在无操作（ NOP ）命令用于指示
选择DDR SDRAM执行NOP （ CS ＃为低，
RAS ＃ ， CAS ＃和WE＃高） 。这可以防止不必要的
从在空闲或等待状态被注册命令。
操作已在进行中不受影响。
行会继续开放供后续访问。输入数据AP-
pearing到DQ被写入到存储器阵列
如有出现重合用DM输入逻辑电平
的数据。如果一个给定的DM信号被注册为低，该
相应的数据将被写入到存储器中;如果DM信号
注册高电平时，相应的数据输入端将忽略
接异，且写操作都不会被执行到的字节/列
位置。
预充电
预充电命令用于关闭打开
排在一个特定的银行或开行的所有银行。该行（S ）
将可用于随后的行访问一个指定的时间
(
t
RP）的预充电命令之后发出。的情况除外
同时自动预充电，在读或写的
命令到一个不同的存储体是允许的，只要它不
中断当前银行的数据传输服务，不
违反任何其他时序参数。输入A10确定
所有的银行是否有一个或都被预充电，并且在所述壳体
其中只有一家银行将被预充电，输入BA0 ， BA1
选择银行。否则BA0 ， BA1被视为“不
无所谓了。 “一旦一家银行被预充电，它在空闲状态
而之前，必须对它进行读或写命令激活
正在发行的是银行。预充电命令会
当作NOP如果在那家银行（空闲状态）没有开行，
或者，如果先前打开行是已经在过程中
预充电。
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0 -A12的加载。见模式
登记在寄存器定义部分说明。该
加载模式寄存器命令只能在发行时
所有银行都是空闲的，并且随后的可执行命令
无法发出，直至
t
MRD满足。
活跃
激活命令用于在打开（或激活）的行
用于随后的访问一个特定的银行。对价值
BA0 ， BA1输入选择银行，而提供的地址
在输入A0 -A12选择行。该行仍然有效（或
开），用于访问，直到预充电命令被发送到该
银行。打开之前，必须发出预充电命令
不同的行中的同一家银行。
自动预充电
自动预充电是一种特性，它执行相同的
个别银行预充电功能如上所述，但
而无需显式命令。这是通过
通过A10启用自动预充电与连词
具体的读或写命令。该行的预充电/
一个与READ或WRITE命令寻址的行是
的READ或完成时自动地进行
写突发。自动预充电是非持久性的，因为它是
启用或每个单独的读或写禁用
命令。该设备支持并发自动预充电，如果
该命令将其他银行不中断数据
转移到当前的银行。
自动预充电可以确保预充电是在启动
一个脉冲串内最早的有效阶段。这种“最早的有效舞台”是
确定是否发出了一个明确的预充电命令
在最早的时间内，在不违反
t
RAS （MIN），如
在这个操作部分中描述的每个突发类型
数据表。用户不能发出另一指令给
同一行，直到预充电时间（
t
RP）的完成。
读
READ命令用于启动一个突发的读访问
对活动行。在BA0价值， BA1输入选择
银行，和设置在输入的地址A0〜 A9的选择
起始列位置。输入A10的值决定
自动预充电是否被使用。如果自动预充电是
选择时，被访问的行会在年底进行预充电
在读破裂;如果自动预充电没有被选择时，行
将继续开放供后续访问。
写
WRITE命令用于启动突发写入访问
对活动行。在BA0价值， BA1输入选择
银行，和设置在输入的地址A0〜 A9的选择
起始列位置。输入A10的值决定
自动预充电是否被使用。如果自动预充电是
选择时，被访问的行会在年底进行预充电
的写突发;如果自动预充电不
选择，则
AS4DDR32M16
修订版1.5 06/06
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
