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    N04L1630C2BT2 参数 Datasheet PDF下载

    N04L1630C2BT2图片预览
    型号： N04L1630C2BT2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mb的超低功耗异步SRAM的CMOS 256K 】 16位POWER SAVER科技TM [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K 】 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY TM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 194 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第9页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第10页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第11页  
    N04L1630C2B
    AMI半导体公司
    读周期的时序（ CE1 = OE = V
    IL
    我们CE2 = = V
    IH
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OH
    超前信息
    数据输出
    以前的数据有效
    数据有效
    读周期的时序波形（WE = V
    IH
    )
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    HZ
    CE1
    t
    CO
    CE2
    t
    LZ
    t
    OE
    OE
    t
    OLZ
    t
    BE
    LB ， UB
    t
    BLZ
    数据输出
    高-Z
    t
    BHZ
    数据有效
    t
    OHZ
    （ DOC ＃ 14-02-042怜我ECN ＃ 01-1374
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.amis.com 。

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