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    N04L1630C2BT2 参数 Datasheet PDF下载

    N04L1630C2BT2图片预览
    型号： N04L1630C2BT2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mb的超低功耗异步SRAM的CMOS 256K 】 16位POWER SAVER科技TM [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K 】 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY TM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 194 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第10页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第11页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第12页  
    N04L1630C2B
    AMI半导体公司
    定时写周期的波形（我们控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    CE1
    t
    CW
    CE2
    t
    BW
    LB ， UB
    t
    AS
    WE
    t
    DW
    高-Z
    DATA IN
    t
    WHZ
    数据输出
    高-Z
    t
    DH
    t
    WP
    t
    WR
    超前信息
    数据有效
    t
    OW
    写周期的时序波形（ CE1控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    CE1
    （为CE2控制，使用
    反相信号）
    LB ， UB
    t
    WP
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    t
    LZ
    数据输出
    t
    WHZ
    t
    DH
    t
    CW
    t
    AS
    t
    BW
    t
    WR
    数据有效
    高-Z
    （ DOC ＃ 14-02-042怜我ECN ＃ 01-1374
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.amis.com 。

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