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    N04L1630C2BT2 参数 Datasheet PDF下载

    N04L1630C2BT2图片预览
    型号： N04L1630C2BT2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mb的超低功耗异步SRAM的CMOS 256K 】 16位POWER SAVER科技TM [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K 】 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY TM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 194 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第9页  
    N04L1630C2B
    AMI半导体公司
    省电与页面模式操作（WE
    =
    V
    IH
    )
    超前信息
    页地址（ A0 ， A5 - A17 ）
    打开页面
    ...
    字地址（ A1 - A4 ）
    WORD 1
    WORD 2
    16字
    CE1
    CE2
    OE
    LB ， UB
    注：页面模式操作寻址SRAM中保存的工作电流的方法。内部
    组织SRAM的优化，以允许这种独特的运行模式被用来作为一种有价值的功率
    节能功能。
    需要做的仅仅是为解决对SRAM的方式，内部页面是左开
    并从打开的页被读取的数据的16位字。通过将地址A1〜A4为至少显著
    位和寻址打开的页面内的16个字，功率被减小到页面模式值，它是
    比标准的工作电流为低功耗SRAM的低得多。
    （ DOC ＃ 14-02-042怜我ECN ＃ 01-1374
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.amis.com 。

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