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    N04L1630C2BT2 参数 Datasheet PDF下载

    N04L1630C2BT2图片预览
    型号： N04L1630C2BT2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mb的超低功耗异步SRAM的CMOS 256K 】 16位POWER SAVER科技TM [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K 】 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY TM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 194 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第9页浏览型号N04L1630C2BT2的Datasheet PDF文件第10页  
    N04L1630C2B
    AMI半导体公司
    时序测试条件
    项
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入和输出时序参考电平
    输出负载
    工作温度
    0.1V
    CC
    0.9 V
    CC
    5ns
    0.5 V
    CC
    CL = 30pF的
    -40至+85
    o
    C
    超前信息
    定时
    项
    读周期时间
    地址访问时间
    页面模式地址访问时间
    芯片使能到输出有效
    输出使能到输出有效
    字节选择有效输出
    芯片使能为低阻抗输出
    输出使能为低阻抗输出
    字节选择低阻抗输出
    芯片禁用到高阻输出
    输出禁止到高阻输出
    字节选择Disable输出高阻态
    从地址变更输出保持
    写周期时间
    芯片使能写操作的结束
    地址有效到写结束
    字节选择要写入的结束
    把脉冲宽度
    地址建立时间
    写恢复时间
    写入输出高阻态
    数据写入时间重叠
    从时间写数据保持
    结束写入低-Z输出
    符号
    t
    RC
    t
    AA
    t
    AAP
    t
    CO
    t
    OE
    t
    BE
    t
    LZ
    t
    OLZ
    t
    BZ
    t
    HZ
    t
    OHZ
    t
    BHZ
    t
    OH
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    BW
    t
    WP
    t
    AS
    t
    WR
    t
    WHZ
    t
    DW
    t
    DH
    t
    OW
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    10
    5
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    分钟。
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    马克斯。
    分钟。
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    马克斯。
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    ns
    单位
    （ DOC ＃ 14-02-042怜我ECN ＃ 01-1374
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.amis.com 。

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