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N04L1630C2BT2 参数 Datasheet PDF下载

N04L1630C2BT2图片预览
型号: N04L1630C2BT2
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内容描述: 4Mb的超低功耗异步SRAM的CMOS 256K 】 16位POWER SAVER科技TM [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K 】 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY TM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 194 K
品牌: AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
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N04L1630C2B
AMI半导体公司
功能框图
超前信息
地址
输入
A1 - A4
地址
解码
逻辑
地址
输入
A0,
A5 - A17
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
页面
地址
解码
逻辑
16K页
×16字
x 16位
RAM阵列
输入/
产量
I / O0 - I / O7
MUX
缓冲器
I / O8 - I / O15
复字
控制
逻辑
功能说明
CE1
H
X
L
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
H
WE
X
X
X
L
H
H
OE
X
X
X
X
3
L
H
UB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
LB
X
X
H
L
1
L
1
L
1
I / O
0
- I / O
151
高Z
高Z
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
2
待机
2
待机
3
活跃
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1.当UB和LB在选择模式(低) , I / O
0
- I / O
15
受到影响,如图所示。当LB不仅是在选择模式下的I / O
0
- I / O
7
受到影响,如图所示。当UB是在选择模式下的I / O
8
- I / O
15
受到影响,如图所示。
2.当设备处于待机模式时,控制输入(WE ,OE , UB和LB) ,地址输入端和数据输入/输出的内部
隔离任何外部影响,从外部施加任何影响禁用。
3.当我们被调用时, OE输入在内部禁用并具有对电路没有影响。
电容
1
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V , F = 1 MHz时,T
A
= 25
o
C
V
IN
= 0V , F = 1 MHz时,T
A
= 25
o
C
最大
8
8
单位
pF
pF
1,这些参数在设备特性验证,并非100%测试
( DOC # 14-02-042怜我ECN # 01-1374
此设备的规格如有变更,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.amis.com 。