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A43E26161 参数 Datasheet PDF下载

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型号: A43E26161
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内容描述: 1M ×16位×4银行低功耗同步DRAM [1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 44 页 / 1119 K
品牌: AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
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A43E26161  
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4  
0
1
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3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
CLOCK  
CKE  
High  
CS  
RAS  
CAS  
*Note 2  
CCc  
CDd  
RAa  
RBb  
CAa  
CBb  
RCc  
RDd  
ADDR  
BS1  
BS0  
A10/AP  
RAa  
RBb  
RCc  
RDd  
DAa0 DAa1 DAa2 DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 DCc0 DCc1 DDd0 DDd1 CDd2  
DQ  
t
RDL  
t
CDL  
WE  
*Note 1  
DQM  
Precharge  
(All Banks)  
Write  
(A-Bank)  
Write  
(B-Bank)  
Row Active  
(D-Bank)  
Write  
(D-Bank)  
Row Active  
(A-Bank)  
Row Active  
(B-Bank)  
Row Active  
(C-Bank)  
Write  
(C-Bank)  
: Don't care  
* Note:  
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.  
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and precharge banks must be the same.  
(December, 2004, Version 1.0)  
27  
AMIC Technology, Corp.  
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