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5ASXMB3E4F31I3N 参数 Datasheet PDF下载

5ASXMB3E4F31I3N图片预览

型号：	5ASXMB3E4F31I3N
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	[Field Programmable Gate Array, 670MHz, PBGA896, ROHS COMPLIANT, FBGA-896]
分类和应用：	时钟LTE栅可编程逻辑
文件页数/大小：	184 页 / 1809 K
品牌：	ALTERA [ ALTERA CORPORATION ]

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AV-51002

2017.02.10

1-71

NAND Timing Characteristics

Symbol

Description

Min

5

Max

Unit

ns

(89)

T_dh

Data to write enable hold time

—

25

T_cea

T_rea

T_rhz

T_rr

Chip enable to data access time

Read enable to data access time

Read enable to data high impedance

Ready to read enable low

—

—

—

20

ns

16

ns

100

—

ns

ns

Figure 1-17: NAND Command Latch Timing Diagram

NAND_CLE

NAND_CE

T_clesu

T_cesu

T_cleh

T_ceh

T_wp

NAND_WE

NAND_ALE

T_alesu

T_aleh

T_dsu

Command

T_dh

NAND_DQ[7:0]

Arria V GX, GT, SX, and ST Device Datasheet

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