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CEM11C2 参数 Datasheet PDF下载

CEM11C2图片预览
型号: CEM11C2
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内容描述: 双增强模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 60 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CEM11C2  
N-Channel  
1.15  
1.10  
1.09  
1.06  
5
5
ID=-250ijA  
V
DS=VGS  
=250ijA  
I
D
1.05  
1.00  
1.03  
1.00  
0.97  
0.95  
0.90  
0.85  
0.94  
0.91  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
Tj, Junction Temperature ( C)  
Tj, Junction Temperature ( C)  
Figure 6. Breakdown Voltage Variation  
with Temperature  
Figure 5. Gate Threshold Variation  
with Temperature  
30.0  
15  
V
DS=15V  
12  
9
10.0  
6
3
0
1.0  
0
5
10  
15  
20  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
IDS, Drain-Source Current (A)  
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)  
Figure 7. Transconductance Variation  
with Drain Current  
Figure 8. Body Diode Forward Voltage  
Variation with Source Current  
5-152