4N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	4N60
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内容描述：	- 12号的铝制车身绘（ RAL 7032 ） []
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 392 K
品牌：	ETC [ ETC ]

华晶分立器件

100

跨导可能会限制

当前在这一地区

○

CS4N60FA9HD

IDM ，峰值电流，安培

对于温度

在25℃以上降额峰值

当前，如下所示：

⎡

150

−

⎤

⎢

⎥

125

⎦

⎣

1.00E-05

1.00E-04

1.00E-03

1.00E-02

，

脉冲宽度，秒

1.00E-01

1.00E+00

1.00E+01

ID ，漏电流，安培

7.5

4.5

1.5

-55℃

+25℃

+150℃

脉冲持续时间为10μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

=30V

图6最高可峰值电流能力

RDS（ON），漏极至源开

电阻，欧姆

VGS ，门源电压，电压

脉冲持续时间为10μs =

占空比系数= 0.5 ％ MAX

TC = 25

℃

= 4A

= 2A

= 1A

图7典型的传输特性

RDS（ON），漏极至源开

电阻，欧姆

脉冲持续时间为10μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

TC = 25

℃

VGS ，门源电压

，

伏

图8典型漏极至源极导通电阻VS栅极电压

和漏极电流

RDS（ON），漏极至源极导通电阻，

Nomalized

2.5

2.25

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

脉冲持续时间为10μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

VGS = 10V ID = 2A

2.5

=20V

1.5

ID ，漏电流，安培

图9典型漏极至源极导通电阻

VS漏电流

-50

100

TJ ，结温，C

150

图10典型Drian到源通电阻

VS结温

第10个5

WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。， LT ð 。

2 0 11

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